新一代半导体材料与器件团队

一、团队介绍

本团队面向后摩尔时代的集成电路潜在颠覆性技术所需的新材料、新器件、新架构展开研究，主要内容如下：1）研究并调控零维量子点、一维纳米线、二维材料等低维功能材料的物性，制备相关传感、光电、存储、逻辑等新型电子器件；2）以柔性光电材料、器件物理机制、器件工艺和集成中的关键科学问题和技术难点为研究对象，面向新一代可穿戴电子、生物健康医疗等应用领域；3）基于宽禁带与超宽禁带半导体材料，开发新一代垂直型功率器件与集成模块，研制高性能全波段LED发光器件以及单片集成Micro-LED显示芯片。团队拥有教育部首批支持的新一代半导体材料战略科技创新平台，近五年来承担国家级项目30余项，省部级项目30余项，总经费5亿余元，发表SCI等高水平学术论文数百篇。

二、团队成员：

（一）招生导师

王以林，教授、博士生导师、齐鲁青年学者、太阳成tyc33455ccwww副经理。主要研究方向为支撑后摩尔时代集成电路产业发展的新材料、新原理及新器件，包括新一代半导体材料与器件、二维材料自旋电子器件、量子物态与调控。至今共发表论文50余篇，被引用4000余次，h因子达33。承担国家自然科学基金重点项目子课题、科技部重点研发计划子课题，山东省自然科学基金重大基础研究项目/面上项目、国家重点实验室等开放课题、企业横向课题等项目10余项。

刘超, 太阳成tyc33455ccwww/晶体材料国家重点实验室教授、博士生导师、齐鲁青年学者，香港科技大学博士，瑞士洛桑联邦理工学院博士后。研究方向是宽禁带半导体材料与器件，主要包括GaN功率器件，Micro-LED, UV-LED，以及单片集成光电/功率模块等。迄今为止, 在本领域权威期刊以及功率半导体顶级会议ISPSD等共发表论文70余篇, 申请/授权发明专利10余项，研究成果被国际产业杂志亮点报道十余次。主持十余项国家级、省部级项目以及公司横向课题。

李阳，教授、博士生导师，主要研究射频无源集成电路设计与先进工艺、传感存算一体化”芯片系统，IEEE高级会员，科技部中韩青年科学家、山东省高校集成电路创新团队带头人、山东省优青、山东省青年科技人才托举工程入选者、齐鲁青年学者，主持省部级以上项目10余项。已累计发表SCI检索论文80余篇，其中以第一作者/通讯作者在中科院一区文章40篇，包含封面文章10篇，授权国家发明专利15项，韩国发明专利11项，同时担任10余个期刊特约编辑、编委。

张敏，研究员、博士生导师，太阳成tyc33455ccwww“齐鲁青年学者”。主要研究兴趣包括：面向高端电子用氧化物无机电介质电容器器件，高性能铁电信息存储与低功耗存算一体器件等方面的研究。至今共发表SCI论文20余篇，其中以第一作者/通讯作者在Science、Nano Energy等学术期刊上发表论文9篇。任国际学术期刊eScience期刊青年编委、国际学术期刊Exploration期刊青年编委、IEEE成员、中国电子学会会员等。

徐明升，教授、博士生导师。主要从事碳化硅、金刚石等宽禁带半导体生长和光电器件制备工作，发表论文近40篇，授权专利19项，主持国家自然科学基金、博士后基金特别资助、省重大创新工程等多项科研项目。

（二）合作导师

马瑾，二级岗教授、享受国务院政府特殊津贴专家。研究方向为宽带隙半导体材料与器件。主持国家级项目10项。获得教育部自然科学一等奖1项，获得国家发明专利12项，出版《透明氧化物半导体》专著一部，发表SCI收录论文160余篇。

林兆军，教授，主要从事GaN电子器件和电路模块研究。1999年到2003年，分别在加拿大McMaster University和美国Northwestern University、Ohio State University多所大学从事科学研究工作。现已主持多项国家自然科学基金项目、省部级项目、军工项目和横向项目，作为第一作者和通讯作者发表SCI收录论文70多篇，授权2项发明专利。

冀子武，曾先后就读/任职于太阳成tyc33455ccwww物理系（学士）、中国海洋大学物理系（硕士）、 (日本国立)千葉大学物理系（博士）、（日本国立）東京大学固体物理研究所（博士后研究员）。并于2007年作为太阳成tyc33455ccwww杰出人才从東京大学受聘回国，先后任物理学院、微电子学院教授，博士生导师。现为泰山学院兼职教授，東京大学共同研究员，民政部批准、团中央指导的在海内外有较高影响力和知名度的国家高级别学术组织《中国青年科技工作者协会》会员，日本物理学会会员，在日中国学者材料学会会员等。现为美国《Opt. Express》、《Appl. Phys. Lett.》、《J. Appl. Phys》及英国《Scientific Reports》等多种国际重要学术期刊的评审专家，国家自然科学基金、山东省自然科学基金、科技部及教育部科研基金项目以及高等学校博士毕业论文等方面的评审专家。主要从事低维（纳米）宽禁带（如GaN基）半导体材料/器件光电特性等方面的科学研究。

肖洪地，教授，主要从事宽带隙半导体（如：氧化镓、氮化镓）薄膜外延生长及相关器件的研究，先后承担国家级、省部级项目十余项、发表SCI论文百余篇、申请发明专利五项，所培养研究生多人获得国家奖学金。

郭庆磊，教授、博士生导师，主要的研究方向包括柔性/可穿戴电子器件与技术、宽禁带半导体器件及集成等，并在相关领域主持军委装发部、军委科技委、国家自然科学基金等10余项科研项目。截至目前，在Adv. Funct. Mater.、Small、npj Flexible Electronics、Appl. Phys. Lett.、IEEE TED等期刊上发表90余篇高水平论文。

钱凯，教授、博士生导师、齐鲁青年学者，博士毕业于新加坡南洋理工大学，致力于新一代半导体材料与器件、感存算一体化类脑芯片及医疗健康监测传感器研究。先后担任学院副经理、研究室主任、支部书记、徐州铜山区科技局副局长(挂职)等。发表SCI论文40余篇，申请/授权专利10余项，主持/参与国家、省部级项目10余项。

庞智勇，教授、博士生导师，太阳成tyc33455ccwww-北方电科集成电路研究中心主任。2006年获太阳成tyc33455ccwww微电子学与固体电子学博士学位。2006年起先后在物理与微电子学院/物理学院、微电子学院/太阳成tyc33455ccwww任讲师、副教授、教授。2007年曾在新疆昌吉学院物理系支教，2015年9月至2016年9月在美国犹他大学物理与天文系Zeev Valy Vardeny教授课题组访问。研究方向主要包括载波基带芯片、AI算法（Seq2Point、NILM等）、半导体材料及器件等，主要研究兴趣包括基于RSIC-V的电力载波数字基带芯片设计、基于AI的Turbo编解码研究、半导体材料与器件集成、微电子硬件及软件设计等。作为项目负责人及主要研究人员先后承担国家级科研项目11项，省部级项目6项，企业横向项目2项，发表SCI学术论文70篇，获授权国家发明专利9项。

庄昕明，研究员、博士生导师、齐鲁青年学者，山东省高层次人才。本硕博毕业于电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，2018年10月至2020年9月在美国西北大学Tobin J. Mark和Antonio Facchetti课题组进行交流访问，2021年1月至2023年4月在太阳成tyc33455ccwww从事博士后研究工作，迄今为止在PNAS, J. Am. Chem. Soc., Nat. Mater., Adv. Mater., Nano Lett., Adv. Sci., Adv. Funct. Mater., Chem. Mater.,  等期刊发表论文40余篇，授权发明专利10项。

王天宇，研究员、博士生导师、齐鲁青年学者、国家集成电路创新中心顾问专家、国家博新计划人才、山东省泰山学者青年专家、山东省优青、山东省高层次人才、上海市高层次人才。硕博毕业于复旦大学微电子学院（国家重点实验室），随后在复旦大学集成电路科学与工程流动站从事博士后研究。主持/参与国家重点研发计划青年科学家项目、国家自然科学基金、教育部新一代集成电路技术集成攻关项目、教育部重点实验室基金、山东省自然科学基金等10余项项目。在存算一体器件的低功耗性能指标已达到国际领先水平（aJ级），研究成果入选Chip中国2022年度芯片科学十大进展（Chip 10 Science）。主要研究方向为面向人工智能应用的低功耗存储器芯片、基于存储器的数字逻辑计算、神经网络算法与集成系统、柔性忆阻器与可穿戴电子等。

孟佳琳，太阳成tyc33455ccwww研究员（齐鲁青年学者），入选中国未来女科学家计划、上海市高层次人才。发表SCI高水平论文60余篇，其中以第一作者/通讯作者发表30篇，包括Nature Communications，ACS Nano（2篇），Nano Letters（3篇），Nano Energy，InfoMat，Material Horizons，Nano Research，Advanced Electronic Materials，IEEE Electron Device Letters（7篇）等领域内顶尖期刊，申请国家发明专利92项。主持中国未来女科学家计划、国际青年人才基金、上海市科技创新行动计划、中国博士后科学基金特别资助（站前）、中国博士后科学基金面上资助等项目8项，骨干参与国家科技重大专项、国家重点研发计划等项目10余项。主要研究方向：面向人工智能应用的光电感存算一体神经形态器件、神经突触晶体管与人工视网膜、柔性可穿戴电子与人工智能系统。

冯华钰，副研究员，硕士生导师，主要从事新一代半导体氧化镓外延、器件、微纳加工方向的研究；相关研究与太阳成tyc33455ccwww新一代半导体研究院氧化镓课题组合作开展，具有包括Mist-CVD、HVPE、MOCVD多种外延方法协同攻关能力；目前，我们已成功生长 2 英寸 α-Ga2O3 外延片，其日盲光电探测指标处于同行前列；同时在光电器件方向，采用纳米孔结构，有效抑制了氧化镓光电器件中的持续光电导效应（PPC），其光电探测指标处于世界前列（ACS AMI, 2023）。

王亮，研究员，主要从事新一代半导体材料器件及薄膜光电子器件的集成一体化研究。迄今为止，以第一/通讯作者（含共同）的身份在 Nat. Energy、Nat. Commun.、Sci. Adv、等期刊上发表高水平论文。主持多项国家自然科学基金项目和省部级项目。先后获得中国电子学会全国优秀博士论文、中国电子学会自然科学二等奖、湖北省自然科学一等奖。

王凌云，研究员、山东省泰山学者青年专家、山东省海外优青。2019.7获得香港城市大学博士学位，随后在香港中文大学及香港城市大学从事博士后研究。现研究方向为柔性功能材料及柔性可穿戴智能器件以及新一代半导体材料与器件。迄今在国际高水平期刊发表SCI论文28篇，申请多项美国及中国专利。受邀担任国际期刊Frontiers in Electronics: Wearable Electronics 副主编及Nanomaterials 客座编辑。

冯先进，副教授、博士生导师。本科至博士阶段均就读于太阳成tyc33455ccwww，博士毕业后曾先后赴德国和美国从事博士后研究。有着多年的半导体薄膜材料与器件方面的研究经验，研究内容涉及金属氧化物薄膜材料、场效应晶体管、太阳能电池、肖特基二极管等。主持国家和省部级科研项目9项，在国际知名期刊上发表SCI论文超过70篇，以第一发明人获得授权国家发明专利6项。所指导的多名研究生因科研成果突出曾荣获“山东省优秀硕士学位论文”、“太阳成tyc33455ccwww优秀硕士学位论文”、“公司第十一届五四青年科学奖”、“国家奖学金”、“董事长奖学金”等荣誉、奖励。

刘敏，副教授、硕士生导师。博士毕业于北京大学现代光学研究所，曾在新加坡国立大学物理系从事博士后工作。主要研究方向为新一代半导体材料与器件，钙钛矿量子点复合材料、有机-无机光电材料研究等。

郭启凯，副研究员、山东省泰山学者青年专家、山东省海外优青。主要从事氧化物薄膜、宽禁带半导体等材料的外延生长与器件集成等工作。先后主持国家级和省部级项目5项，发表SCI论文30余篇，授权国家发明专利5项。

栾彩娜，高级实验师、硕士生导师。从事宽带隙氧化物半导体薄膜材料和半导体器件性能研究。承担国家自然科学基金青年项目1项。在本领域发表多篇SCI收录学术论文，包括Applied Surface Science，Journal of Alloys and Compounds, Ceramics International等期刊。

吕兵兵，助理研究员、硕士生导师。主要研究方向为低维材料光谱学与半导体微纳光电器件、自旋电子学器件的构筑等。其中包括通过系统的磁光拉曼-圆二色性手段对二维磁性材料的磁各向异性、自旋-声子耦合、磁振子模式进行分析研究，首次发现二维磁性材料三碘化钒中的磁振子振动模式，并首次利用群论理论解释了旋光性与二维磁性关系，为自旋电子学器件打下了坚实的理论基础。发表多篇SCI研究论文，其中近三年在《Nano Letters》 3篇、《Physical Review B》、《Photonics Research》、《Applied Physics Letters》等高水平权威期刊论文发表7篇。主持和重要参与多项国家自然科学基金青年基金、面上基金、山东省自然科学基金重大基础研究、广东省基础与应用基础研究联合基金、中科院重大科技基础研究开放课题等。

朱阳军，芯长征科技有限公司

杨列勇，中芯北方集成电路制造（北京）有限公司

朱振，山东华光光电子股份有限公司

（三）其他人员

魏琳、任雪

三、团队联系人

王以林

电话：0531-88390181-8309

邮箱：yilinwang@sdu.edu.cn